슈퍼 X-선 면밀도 측정 게이지
측정의 원리
광선이 전극에 조사되면, 광선은 전극에 의해 흡수, 반사 및 산란되며, 이로 인해 입사 광선 세기에 비해 투과 전극 이후의 광선 세기가 일정하게 감쇠되고, 그 감쇠 비율은 전극의 무게 또는 면 밀도에 따라 음의 지수 함수적으로 증가합니다.
I=I_0 e^−λm⇒m= 1/λln(I_0/I)
I_0 : 초기 광선 강도
I : 전극을 투과한 후의 광선 강도
λ : 측정 대상의 흡수 계수
m : 측정 대상의 두께/면적 밀도

장비 하이라이트

반도체 센서와 레이저 센서 측정 비교
● 세부 윤곽선 및 특징 측정 : 고속, 고정밀(60m/min)의 밀리미터 공간 분해능 면밀도 윤곽선 측정
● 초폭 측정: 1600mm 이상의 코팅 폭에 적용 가능.
● 초고속 스캐닝: 스캐닝 속도 0~60m/min으로 조절 가능.
● 전극 측정을 위한 혁신적인 반도체 광선 검출기: 기존 솔루션보다 10배 빠른 응답 속도.
● 고속, 고정밀 선형 모터 구동: 기존 솔루션에 비해 스캐닝 속도가 3~4배 향상되었습니다.
● 자체 개발한 고속 측정 회로: 샘플링 주파수는 최대 200kHz로 폐쇄 루프 코팅의 효율성과 정확도를 향상시킵니다.
● 박막화 용량 손실 계산: 스팟 폭은 최대 1mm까지 미세하게 측정할 수 있습니다. 에지 박막화 영역의 윤곽선, 전극 코팅의 스크래치 등 세부적인 특징을 정확하게 측정할 수 있습니다.
소프트웨어 인터페이스
측정 시스템의 메인 인터페이스의 사용자 정의 가능한 디스플레이
● 솎음 영역 결정
● 용량 결정
● 스크래치 판정

기술적 매개변수
목 | 매개변수 |
방사선 방호 | 장비 표면으로부터 100mm 떨어진 곳의 방사선량은 1μsv/h 이하입니다. |
스캐닝 속도 | 0-60m/분 조절 가능 |
샘플 주파수 | 200kHz |
응답 시간 | 0.1ms 미만 |
측정 범위 | 10~1000g/㎡ |
스팟 폭 | 1mm、3mm、6mm 선택 가능 |
측정 정확도 | P/T≤10%16초간 적분:±2σ:≤±참값×0.2‰ 또는 ±0.06g/㎡; ±3σ:≤±참값×0.25‰ 또는 ±0.08g/㎡;4초간 적분:±2σ:≤±참값×0.4‰ 또는 ±0.12g/㎡; ±3σ:≤±참값×0.6‰ 또는 ±0.18g/㎡; |
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